发明名称 钨、钼及其氧化物纳米线薄膜与纳米线阵列以及其制备与应用
摘要 本发明公开了钨、钼及其氧化物的纳米线薄膜及其纳米线阵列。本发明还公开了钨、钼单质及其氧化物的纳米线薄膜及其纳米线阵列的制备方法及应用。本发明的制备方法简单、直接,对设备要求不高,成本低廉。同时本发明制备的大面积钨、钼及其氧化物的纳米线薄膜具有优异的场致电子发射性能,作为冷阴极电子源会有很大的应用前景,尤其是在场致电子发射平板显示器、冷阴极发光管、冷光源等。
申请公布号 CN1283835C 申请公布日期 2006.11.08
申请号 CN03140333.6 申请日期 2003.08.29
申请人 中山大学 发明人 许宁生;周军;邓少芝;陈军;佘峻聪
分类号 C23C26/00(2006.01) 主分类号 C23C26/00(2006.01)
代理机构 广州新诺专利商标事务所有限公司 代理人 华辉
主权项 1、一种钨、钼及其氧化物纳米线薄膜与纳米线阵列,其特征在于:钨、钼及其氧化物的纳米线生长在衬底上形成薄膜和阵列。
地址 510275广东省广州市新港西路135号