发明名称 | 钨、钼及其氧化物纳米线薄膜与纳米线阵列以及其制备与应用 | ||
摘要 | 本发明公开了钨、钼及其氧化物的纳米线薄膜及其纳米线阵列。本发明还公开了钨、钼单质及其氧化物的纳米线薄膜及其纳米线阵列的制备方法及应用。本发明的制备方法简单、直接,对设备要求不高,成本低廉。同时本发明制备的大面积钨、钼及其氧化物的纳米线薄膜具有优异的场致电子发射性能,作为冷阴极电子源会有很大的应用前景,尤其是在场致电子发射平板显示器、冷阴极发光管、冷光源等。 | ||
申请公布号 | CN1283835C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
申请号 | CN03140333.6 | 申请日期 | 2003.08.29 |
申请人 | 中山大学 | 发明人 | 许宁生;周军;邓少芝;陈军;佘峻聪 |
分类号 | C23C26/00(2006.01) | 主分类号 | C23C26/00(2006.01) |
代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 华辉 |
主权项 | 1、一种钨、钼及其氧化物纳米线薄膜与纳米线阵列,其特征在于:钨、钼及其氧化物的纳米线生长在衬底上形成薄膜和阵列。 | ||
地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 |