| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件的制造方法，可以抑制因硅化物的形成而使漏电流增加。将抑制硅化物反应的杂质(抑制杂质)、例如锗从其上面导入源漏区(16、36)。接着，在源漏区(16、36)中，使比抑制杂质分布的区域(50)还浅的区域变成硅化物，在源漏区(16、36)形成硅化物膜(51)。通过这样使比抑制杂质分布的区域(50)还浅的区域变成硅化物，可以抑制硅化物反应向变成硅化物的区域的下方进行，可以降低源漏区(16、36)和阱区之间的接合漏泄。 | ||
| 申请公布号 | CN1284217C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN03132886.5 | 申请日期 | 2003.07.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 尾田秀一;佐山弘和;太田和伸;杉原浩平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：(a)准备在其上面具有第1导电型的第1杂质区和第2导电型的第2杂质区，且所述第2杂质区设在所述第1杂质区的上面的半导体衬底的工序；(b)将抑制硅化物反应的杂质从其上面导入所述第2杂质区的工序；(c)在所述工序(b)之后，作为在所述第2杂质区内的区域，从所述第2杂质区域的上面开始，使比所述杂质分布的区域的下限还浅的区域变成硅化物的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||