半导体器件及其制造工艺

摘要

借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

主权项

1.一种半导体器件，它包含半导体衬底和具有制作在半导体衬底的电路制作侧上的沟槽的元件隔离氧化膜，其中在半导体衬底的电路制作侧上制作了元件氧化膜和制作了沟槽后，元件氧化膜从沟槽的内壁被凹陷5-40nm的程度，之后沟槽的内壁被氧化以提供沟槽隔离结构，在沟槽隔离结构的沟槽上边沿周围衬底具有单调的凸面形状；该氧化膜被氧化以在沟槽隔离结构中间级的沟槽内壁处具有5-70nm的厚度；且在其上边沿处半导体衬底的曲率半径在3-35nm的范围内。