发明名称 半导体记忆体装置之冗余电路
摘要 本发明提供一种冗余电路,在该冗余电路中于一熔丝组中配置复数个冗余取代单元以增强熔丝组之使用效率。一半导体记忆体装置中之该冗余电路包含:一熔丝组控制器,其用于输出一根据所施加之位址讯号而启用之冗余启用讯号;一冗余选择器;一备用冗余选择器;及一受控于该冗余启用讯号之备用熔丝控制器,其用于输出一根据一内部熔丝选择而选择该冗余选择器及该备用冗余选择器中至少一者的选择控制讯号。
申请公布号 TW200638427 申请公布日期 2006.11.01
申请号 TW094122607 申请日期 2005.07.04
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 姜相熙
分类号 G11C29/24(2006.01) 主分类号 G11C29/24(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国