局部应变电晶体及其形成方法

摘要

一种半导体及其制造方法。实施例包含形成有侧壁间隙壁之金氧半导体元件。高应力层*积于此元件之上，此应力可由膜层覆盖闸电极及侧壁间隙壁的多寡做选择性地调整。此覆盖闸电极与侧壁间隙壁之应力层较佳地系由第一应力调整为第二应力，其中第一应力具伸张性或具压缩性其中一者，此第二应力则具伸张性或具压缩性其中另一者。在较佳之实施例中，选择性引入适当的应力于P型金氧半导体及N型金氧半导体内的通道区域中，以改善各自的载子迁移率。本发明的其他实施例中，包含覆盖应力层之场效电晶体，此应力层包含不同的应力区域。