| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含:形成一层材料层于矽晶圆上,该矽晶圆具有表面形态上的改变,该表面形态包含至少一厚区域及至少一薄区域,该层材料层具有表面形态上的改变,该表面形态包含至少一厚区域及至少一薄区域,其分别对应于晶圆的厚区域及薄区域;以及在该层材料层中形成至少一窄区域及至少一宽区域,该等窄区域及宽区域分别对应于晶圆的厚区域及薄区域。2.如申请专利范围第1项之方法,另包含:使配置于该层材料层上之光阻经由一遮罩而暴露于光,该遮罩具有一已经添加有近场解析度标记的图案;以及去除该层材料层的部分,而留下该等窄区域及宽区域。3.如申请专利范围第1项之方法,另包含:使晶圆的厚区域特征化成为第一区带;使晶圆的薄区域特征化成为第二区带;以及形成窄区域于第一区带中,及宽区域于第二区带中。4.如申请专利范围第3项之方法,另包含:为第一区带设定第一成像补偿,且为第二区带设定第二成像补偿;以及去除该层材料层的区域,而留下第一区带中的窄区域及第二区带中的宽区域。5.如申请专利范围第1项之方法,另包含面扫描晶圆之表面形态以决定晶圆的厚区域及薄区域。6.如申请专利范围第5项之方法,另包含晶圆之表面形态的偏光测定面扫描,雷射面扫描,或电容面扫描,以决定晶圆的厚区域及薄区域。7.一种机器可存取媒体,包含资料,而当资料被机器所存取时,致使机器实施操作,包含:形成一层材料层于矽晶圆上,该矽晶圆具有表面形态上的改变,该表面形态包含至少一厚区域及至少一薄区域,该层材料层具有表面形态上的改变,该表面形态包含至少一厚区域及至少一薄区域,其分别对应于晶圆的厚区域及薄区域;以及在该层材料层中形成至少一窄区域及至少一宽区域该等窄区域及宽区域分别对应于晶圆的厚区域及薄区域。8.如申请专利范围第7项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料,包含:使配置于该层材料层上之光阻经由一遮罩而暴露于光,该遮罩具有一已经添加有近场解析度标记的图案;以及去除该层材料层的部分,而留下该等窄区域及宽区域。9.如申请专利范围第7项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料包含:使晶圆的厚区域特征化成为第一区带;使晶圆的薄区域特征化成为第二区带;以及形成窄区域于第一区带中,及宽区域于第二区带中。10.如申请专利范围第9项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料包含:为第一区带设定第一成像补偿,且为第二区带设定第二成像补偿;以及去除该层材料层的区域,而留下第一区带中的窄区域及第二区带中的宽区域。11.如申请专利范围第8项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料,包含面扫描晶圆之表面形态以决定晶圆的厚区域及薄区域。12.一种半导体装置之制造方法,包含:形成第一层材料层于矽晶圆上,该矽晶圆具有包含厚及薄区域之表面形态上的改变,该层材料层具有表面形态上的改变,该表面形态包含分别对应于晶圆之厚及薄区域的厚及薄区域;形成一牺牲之材料层于第一层上,该牺牲之材料层具有表面形态上的改变,其包含分别对应于该第一层之厚及薄区域的厚及薄区域,以及使用直接将近场解析度图案写在配置于该牺牲层上的光阻上而形成窄及宽区域于该牺牲之材料层中,该等窄及宽区域分别对应于晶圆的厚及薄区域。13.如申请专利范围第12项之方法,另包含使用电子束、紫外线(UV)光、x-射线、或光束之至少其中一者来直接写近场解析度图案。14.如申请专利范围第12项之方法,另包含直接将近场解析度图案写在配置于该牺牲层上的感光聚合物上以形成窄及宽区域于该牺牲之材料层中。15.如申请专利范围第14项之方法,另包含使用直接将近场解析度图案写在配置于该牺牲层上的非聚合物光阻上,以形成窄及宽区域于该牺牲之材料层中。16.如申请专利范围第12项之方法,另包含:使晶圆的厚区域特征化成为第一区带;使晶圆的薄区域特征化成为第二区带;以及形成窄区域于第一区带中,及宽区域于第二区带中。17.如申请专利范围第16项之方法,另包含:为第一区带设定第一成像补偿,且为第二区带设定第二成像补偿;以及去除该层材料层的区域,而留下第一区带中的窄区域及第二区带中的宽区域。18.如申请专利范围第12项之方法,另包含面扫描晶圆之表面形态以决定晶圆的厚区域及薄区域。19.一种机器可存取媒体,包含资料,而当资料被机器所存取时,致使机器实施操作,包含:形成第一层材料层于矽晶圆上,该矽晶圆具有包含厚及薄区域之表面形态上的改变,该第一层具有表面形态上的改变,该表面形态包含分别对应于晶圆之厚及薄区域的厚及薄区域;形成一牺牲之材料层于第一层上,该牺牲之材料层具有表面形态上的改变,其包含分别对应于第一层之厚及薄区域的厚及薄区域,以及使用直接将近场解析度图案写在配置于该牺牲层上的光阻上而形成窄及宽区域于该牺牲层中,该等窄及宽区域分别对应于晶圆的厚及薄区域。20.如申请专利范围第19项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料,包含使用电子束、紫外线(UV)光、x-射线、或光束之至少其中一者来直接写近场解析度图案。21.如申请专利范围第19项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料,包含使用直接将近场解析度图案写在配置于该牺牲层上的感光聚合物上,以形成窄及宽区域于该牺牲之材料层中。22.如申请专利范围第19项之机器可存取媒体,其中,该机器可存取媒体另包含致使机器实施操作的资料,包含使用直接将近场解析度图案写在配置于该牺牲层上的非聚合物光阻上,以形成窄及宽区域于该牺牲之材料层中。23.一种蜂巢式通讯系统,包含:一发射接收器,发射无线讯号;一半导体结构,系耦合到该发射接收器,以选择无线讯号的频率,该半导体结构包含:一矽晶圆,该矽晶圆具有形成至少一厚区域及至少一薄区域之表面形态上的改变;以及一层材料层,系形成于矽晶圆上,该层材料层具有至少一窄区域及至少一宽区域,其分别对应于晶圆的厚区域及薄区域;一记忆体,系耦合到该发射接收器。24.如申请专利范围第23项之系统,其中,该发射接收器为移动通讯的通用系统(GSM)发射接收器。25.如申请专利范围第23项之系统,其中,该发射接收器为PCS发射接收器。图式简单说明:图1系一例举依据本发明之实施例,用来制造半导体装置之程序的流程图;图2系一依据本发明之实施例所制造之结构的剖面图;图3系一例举依据本发明之替换实施例,用来制造半导体装置之程序的流程图;图4系一依据本发明之替换实施例所制造之结构的剖面图;图5系一依据本发明实施例之蜂巢式通讯系统的高阶方块图。 |
