| 发明名称 | 化合物半导体开关电路装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化合物半导体开关电路装置，在内装有逻辑电路的化合物半导体开关MMIC中，存在有逻辑电路的E－FET、电容抗静电击穿弱的问题。在逻辑电路的逻辑电路L的控制端子Ctl－接地端子GND之间、点CP－接地端子GND之间以及电源端子VDD－接地端子GND之间分别连接保护元件(200)。由此，可防止构成倒相元件(70)的E－FET和电容Ci、Cr被来自外部的静电破坏。由于保护元件可由逻辑电路的必要结构要素构成，故不必附加特别的工序或结构即可实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1855718A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610073261.1 | 申请日期 | 2006.04.06 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 浅野哲郎;日下佑一;榊原干人;石原秀俊 |
| 分类号 | H03K17/00(2006.01);H03K17/687(2006.01) | 主分类号 | H03K17/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种化合物半导体开关电路装置，包括：多个开关元件，其设于化合物半导体衬底上；逻辑电路，其设于所述衬底上，对所述开关元件施加控制信号；反转信号线，其与所述逻辑电路和所述开关元件连接，对该开关元件施加反转信号，其特征在于，所述逻辑电路具有倒相元件，该倒相元件与电源端子、控制端子、接地端子及所述反转信号线连接，在所述控制端子及所述接地端子之间并联连接有在两个传导区域间配置有绝缘区域的保护元件。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||