非挥发性存储单元及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储单元，此非挥发性存储单元由基底、栅极堆栈层、绝缘层与导电层所构成。其中，栅极堆栈层配置在基底上，此栅极堆栈层由基底依序为穿隧层、电荷陷入层、阻挡层与控制栅极层，而且栅极堆栈层中具有开口贯穿这些膜层。此外，绝缘层配置在开口表面。另外，导电层配置在开口中，且覆盖此绝缘层。

主权项

1、一种非挥发性存储单元的制造方法，包括：于一基底上依序形成一穿隧层、一电荷陷入层、一阻挡层与一控制栅极层；于该控制栅极层上形成一第一掩模层，该第一掩模层具有一第一开口而暴露出一预定形成存储单元的区域；于该第一开口的侧壁上形成一第二掩模层；以该第一掩模层与该第二掩模层为掩模，移除部分该控制栅极层、该阻挡层、该电荷陷入层与该穿隧层，而形成贯穿该些膜层的一第二开口；移除该第一掩模层与该第二掩模层；于该第二开口表面形成一绝缘层；于该第二开口填入一导电层，并且覆盖该绝缘层；于该控制栅极层、该绝缘层与该导电层上形成一第三掩模层；利用该第三掩模层定义出一栅极堆栈结构；以及移除该第三掩模层。