发明名称 一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离
摘要 一种实现介质刻蚀、刻蚀掩膜剥离、和刻蚀腔体清洗的方法和设备。在刻蚀腔体内放入晶片。在刻蚀腔体内,使用一种由原位等离子体装置产生的原位等离子体对晶片实现介质刻蚀。使用一种由与刻蚀腔体连接的远程等离子体装置产生的远程等离子体剥离刻蚀掩膜。从刻蚀腔体取出晶片,或使用原位等离子体或使用远程等离子体来清洗刻蚀腔体。在没有使用约束环的刻蚀腔体中,用加热器加热刻蚀腔体壁来提供改进的清洗。
申请公布号 CN1282986C 申请公布日期 2006.11.01
申请号 CN01810393.6 申请日期 2001.03.16
申请人 兰姆研究有限公司 发明人 J·马克斯
分类号 H01J37/32(2006.01);H01L21/311(2006.01) 主分类号 H01J37/32(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 邹光新;梁永
主权项 1.一种对布置在衬底上的介质层进行至少部分刻蚀的方法,其中所述介质层一部分在刻蚀掩膜下面而所述介质层另一部分不在刻蚀掩膜下面,所述方法包括以下步骤:将衬底放入刻蚀腔体内;给刻蚀腔体内通入蚀刻剂气体;由刻蚀腔体内的蚀刻剂气体产生原位等离子体;刻蚀掉介质层中的不在刻蚀掩膜下面的部分;在远程等离子体源处产生远程等离子体;给刻蚀腔体内通入远程等离子体;当衬底位于刻蚀腔体内时,剥离去掉刻蚀掩膜;和从刻蚀腔体内取出衬底。
地址 美国加利福尼亚州