| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有单元场区和高压场区的半导体衬底。在衬底上提供器件隔离膜。器件隔离膜限定衬底的有源区。在包括器件隔离膜的衬底的单元场区上提供单元栅绝缘膜和单元栅导电膜。在具有器件隔离膜的衬底的高压场区上提供高压栅绝缘膜和高压栅导电膜。衬底的高压场区上的器件隔离膜至少部分地凹陷以在其中提供沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1855512A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610073514.5 | 申请日期 | 2006.04.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申有哲;崔正达 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，包括：半导体衬底，具有单元场区和高压场区；衬底上的器件隔离膜，该器件隔离膜限定衬底的有源区；在包括器件隔离膜的衬底的单元场区上的单元栅绝缘膜和单元栅导电膜；以及在包括器件隔离膜的衬底的高压场区上的高压栅绝缘膜和高压栅导电膜，其中衬底的高压场区上的器件隔离膜至少部分地凹陷，以在其中提供沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||