非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，首先提供一基底，并在基底上形成多个堆栈结构，各堆栈结构由下而上依序为底介电层、电荷陷入层、顶介电层、控制栅层及顶盖层。接着，在堆栈结构的侧壁上形成多个间隙壁。然后，在基底上形成栅介电层。之后，在相邻两个堆栈结构之间形成字线。再来，移除各堆栈结构中的顶盖层，然后，在各字线两侧的各堆栈结构外的基底中形成源极区及漏极区。

主权项

1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底；在该基底上形成多个堆栈结构，各该堆栈结构由下而上依序为一底介电层、一电荷陷入层、一顶介电层、一控制栅层及一顶盖层；在该些堆栈结构的侧壁上形成多个间隙壁；在该基底上形成一栅介电层；在相邻两个堆栈结构之间形成一字线；移除各该堆栈结构中的该顶盖层；以及在各该字线两侧的各该堆栈结构外的该基底中形成一源极区及一漏极区。