| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，是在周边区域层叠有绝缘膜、Al配线层、表面保护膜、树脂层的结构。当由于来自外部的热应力而使树脂层收缩时，Al产生滑移，产生栅极－漏极间的泄漏及栅极－源极间的泄漏等不良的问题。在周边区域的周边绝缘膜上设置凹部。至少一个凹部开设成与Al配线层接触的接触孔，也可以设置多个。由此，由于Al配线层和周边绝缘膜之间的摩擦变大，而可抑制Al滑移的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN1855491A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610071447.3 | 申请日期 | 2006.03.28 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 石田裕康 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其具有设于半导体衬底之上的元件区域、和设于所述元件区域外周的周边区域，其特征在于，具有，设于所述周边区域的所述衬底表面的绝缘膜、设于所述绝缘膜上的多个凹部、设于所述绝缘膜之上的金属层、设于所述金属层之上的保护膜、和设于所述保护膜之上的树脂层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||