记忆体的制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体的制造方法，是在形成半导体元件的记忆胞区及周边电路区的制程中，在进行一蚀刻制程以在周边电路区的闸极的侧壁上形成间隙壁之前，先在记忆胞区形成一光阻层。如此一来，可避免记忆胞区在周边电路区形成间隙壁的蚀刻制程中受到破坏，以有效改善位元线间漏电流的问题。

主权项

1、一种记忆体的制造方法，其特征在于其包括：提供一基底，该基底至少可区分为一记忆胞区及一周边电路区，其中该记忆胞区上已形成一记忆体阵列，且在该周边电路区已形成有至少一第一主动区与一第二主动区，且两个主动区上已形成有多数个闸极结构；在该基底上形成一介电层，并覆盖该些闸极结构；在该基底上形成一第一图案化光阻层，并覆盖该记忆胞区及该第二主动区；移除该第一主动区的部分该介电层，而在该第一主动区中各该闸极结构侧壁形成一第一间隙壁；在该第一主动区的各该闸极结构两侧的该基底中形成一第一导电型源极区及一第一导电型汲极区；移除该第一图案化光阻层；在该基底上形成一第二图案化光阻层，该第二图案化光阻层覆盖该记忆胞区及该第一主动区；移除该第二主动区的部分该介电层，而在该第二主动区的各该闸极结构侧壁形成一第二间隙壁；在该第二主动区的各该闸极结构两侧的该基底中形成一第二导电型源极区及一第二导电型汲极区；以及移除该第二图案化光阻层。