| 发明名称 | 多用途金属密封 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在一最终衬底(107)上制造一薄层(104)的方法，所述方法由如下步骤组成：在一最初载体(101)上形成所述半导体层；通过金属粘结来组装所述薄层(104)与所述最终衬底(107)；及以机械方式将所述最初载体与所述薄层(107)分离，从而获得一适用于制成例如电致发光二极管或激光二极管等不同组件的中间衬底。本方法使得自一可循环利用的最初衬底上通过非破坏性机械拆解而得到的一最终衬底上制成一薄层成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN1856874A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200480027890.X | 申请日期 | 2004.09.01 |
| 申请人 | S.O.I.探测硅绝缘技术公司 | 发明人 | 赛巴斯蒂安·凯尔迪斯;法布利斯·勒泰特;胡贝特·莫里索;克里斯托弗·莫拉莱斯 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种在一称作最终衬底的衬底(107)上制造一由一半导体材料形成的薄层(104)的方法，所述最终衬底为一硅衬底或一涂覆有一硅薄膜的导电衬底，所述方法包括：·在一称作最初支撑件(101)的支撑件上形成所述半导体材料层；·通过金属粘结来组装所述薄层与所述最终衬底；·为进行金属粘结起见，在所述薄层上及所述最终衬底上制造一金属沉积物(105、106)；·沿一弱界面(103)以机械方式使所述最初支撑件裂开。 | ||
| 地址 | 法国贝尔宁 | ||