| 发明名称 |
HIGH PERFORMANCE MOSFET DEVICE WITH RAISED SOURCE AND DRAIN |
| 摘要 |
<p>MOSFET 소자와 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 소자는 실리콘 기판에 형성된 트렌치(trench)를 포함하고 있다. 본 소자의 채널(channel)은 트렌치의 하부면에 위치한다. 확산층들은 트렌치의 대향한 측면들에 인접하도록 형성된다. 각각의 확산층은 트렌치의 측벽을 따라 트렌치의 일부분 아래로 확산층을 확장시킴으로써 소자 채널의 에지에 연결된다.</p> |
| 申请公布号 |
KR19990072292(A) |
申请公布日期 |
1999.09.27 |
| 申请号 |
KR19990002389 |
申请日期 |
1999.01.26 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
후루카와도시하루;하키마크씨;홀메스스티븐제이;호라크데이비드브이;마윌리엄에이치;맨델만잭에이 |
| 分类号 |
H01L21/225;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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