发明名称 Method for forming fully silicided gate electrodesand unsilicided poly resistors
摘要
申请公布号 SG126021(A1) 申请公布日期 2006.10.30
申请号 SG20050008500 申请日期 2005.10.25
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 TING STEVE MING;WANG CHIH-HAO
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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