| 发明名称 | 一种硅片卸载工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅片卸载工艺，其步骤包括吹扫和卸载，其中吹扫步中工艺气体为O<SUB>2</SUB>和He的混合气体，卸载步中工艺气体为O<SUB>2</SUB>。本发明的硅片卸载工艺既可以有效的释放硅片上残留的电荷，还可以去除聚合物，降低颗粒和缺陷的数量，提高了产品的良率和产率。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性，还可以避免系统升级、节约大笔开支。 | ||
| 申请公布号 | CN1851864A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126457.8 | 申请日期 | 2005.12.09 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 白志民 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/683(2006.01);C23F1/12(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王常风 |
| 主权项 | 1、一种硅片卸载工艺，包括以下步骤：吹扫和卸载，其特征在于吹扫步中工艺气体为O2和He的混合气体，卸载步中工艺气体为O2。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||