发明名称 |
具有带掩埋氧化层的金属-半导体-金属(MSM)光探测器的系统和方法 |
摘要 |
本发明描述的是一种MSM光探测器,其中介电层位于吸收层和衬底层之间,以便减小装置的电容,且因此增加光探测器带宽。介电层增加光探测器效率并阻挡缓慢移动载流子从进入高场漂移区域。介电层可以是氧化物层,其由AlGaAs的湿热氧化,离子注入,或晶片结合中的一种形成,其中晶片结合法中衬底随后被除去。 |
申请公布号 |
CN1853280A |
申请公布日期 |
2006.10.25 |
申请号 |
CN200480025302.9 |
申请日期 |
2004.09.03 |
申请人 |
新科实业有限公司 |
发明人 |
托斯登·怀普朱斯基 |
分类号 |
H01L31/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/00(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
1.一种探测光的光电子装置,所述装置包括:半导体材料,其具有吸收层,其中耗尽区域可通过在至少两个粘贴到所述吸收层的金属电接触之间提供势垒而产生,还具有衬底层,其中所述衬底层导电性比所述吸收层小;和介电层,其在所述吸收层和所述衬底层之间。 |
地址 |
中国香港 |