发明名称 |
一种在非织构衬底上制备双轴织构层的方法,特别是用于制备超导复合带中的中间缓冲层的方法 |
摘要 |
本发明提供一种在非织构衬底上制备双轴织构层的方法,特别是用于制备超导复合带中中间缓冲层。所述的非织构衬底具有小于约10nm的粗糙度的表面,优选小于约5nm。随后进行一个沉积步骤,其中沉积材料通过直接蒸发沉积在所述表面上而不用考虑其取向;沉积材料以自然织构形式生长在表面上,从而形成双轴织构定向层。 |
申请公布号 |
CN1853285A |
申请公布日期 |
2006.10.25 |
申请号 |
CN200480026386.8 |
申请日期 |
2004.09.10 |
申请人 |
艾迪森股份公司 |
发明人 |
埃尔波特·巴尔迪尼;安芮·告兹;斯欧·哉那拉 |
分类号 |
H01L39/24(2006.01);C30B23/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L39/24(2006.01) |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 |
代理人 |
郑小粤;胡杰 |
主权项 |
1.一种在非织构衬底上制备双轴织构层,尤其是制备超导材料中间缓冲层的方法,其特征在于包括:提供具有小于约10nm表面粗糙度的非织构衬底的步骤;非辅助沉积步骤,该步骤中沉积材料通过直接蒸发沉积在所述表面上而不用考虑其取向;和在所述表面上沉积材料进行自然织构生长以形成定向层的步骤。 |
地址 |
意大利米兰 |