| 主权项 |
1.一种具双层阻剂之蚀刻方法,适用于定义一沟槽,包括下列步骤:提供一基底,该基底上依序形成有一介电层、一第一阻剂层及一第二阻剂层;图案化该第二阻剂层,以形成一第二阻剂图案并露出该第一阻剂层之表面;图案化该第一阻剂层,以形成一第一阻剂图案并露出该介电层之表面;电浆蚀刻该第二阻剂图案表面及露出之该介电层表面,以同时去除该第二阻剂图案及形成该沟槽,其中以含氟气体、惰性气体、氧化剂及含氮气体作为蚀刻反应气体;以及去除第一阻剂图案,藉以完成图案之定义。2.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中在去除该第一阻剂图案之后,更包括一反应室清理步骤,以恢复该反应室之初始状态。3.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第一阻剂层系一不含矽之有机光阻。4.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第二阻剂层系一含矽之有机光阻。5.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氟气体系择自于C4F8、C5F8及C4F6之至少一种。6.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该惰性气体系择自于氩气及氦气之至少一种。7.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该氧化剂系择自于一氧化碳气体及氧气之至少一种。8.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氮气体系择自于氮气及氨气之至少一种。9.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氟气体之流量在5到50 sccm的范围。10.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该惰性气体之流量在50到100 sccm的范围。11.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氮气体流量在20到500 sccm的范围。12.如申请专利范围第3项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第一阻剂层之厚度在1000到5000埃的范围。13.如申请专利范围第4项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第二阻剂层之厚度在500到3000埃的范围。14.如申请专利范围第7项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该一氧化碳气体之流量在50到1000 sccm的范围。15.如申请专利范围第7项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该氧气之流量在2到30 sccm的范围。16.一种具双层阻剂之蚀刻方法,适用于定义一接触窗,包括下列步骤:提供一基底,该基底上依序形成有一终止层、一介电层、一第一阻剂层及一第二阻剂层;图案化该第二阻剂层,以形成一第二阻剂图案并露出该第一阻剂层之表面;图案化该第一阻剂层,以形成一第一阻剂图案并露出该介电层之表面;电浆蚀刻该第二阻剂图案表面及露出之该介电层表面,以同时去除该第二阻剂图案及形成一介层洞而露出该终止层表面,其中以含氟气体、惰性气体、氧化剂及含氮气体作为蚀刻反应气体;去除该第一阻剂图案;以及蚀刻该露出之终止层表面以露出该基底表面并形成该接触窗而完成图案之定义。17.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中在形成接触窗之后,更包括一反应室清理步骤,以恢复该反应室之初始状态。18.如申请专利范围第1项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第一阻剂层系一不含矽之有机光阻。19.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第二阻剂层系一含矽之有机光阻。20.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氟气体系择自于C4F8、C5F8及C4F6之至少一种。21.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该惰性气体系择自于氩气及氦气之至少一种。22.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该氧化剂系择自于一氧化碳气体及氧气之至少一种。23.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氮气体系择自于氮气及氨气之至少一种。24.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氟气体之流量在5到50 sccm的范围。25.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该惰性气体之流量在50到100 sccm的范围。26.如申请专利范围第16项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该含氮气体流量在20到500 sccm的范围。27.如申请专利范围第18项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第一阻剂层之厚度在1000到5000埃的范围。28.如申请专利范围第19项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该第二阻剂层之厚度在500到3000埃的范围。29.如申请专利范围第22项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该一氧化碳气体之流量在50到1000 sccm的范围。30.如申请专利范围第22项所述之具双层阻剂之蚀刻方法,其中该氧气之流量在2到30 sccm的范围。图式简单说明:第1a到1e图系绘示出习知之具双层阻剂之蚀刻方法;第2a到2d图系绘示出根据本发明第一实施例之具双层阻剂之蚀刻方法;第3a到3d图系绘示出根据本发明第二实施例之具双层阻剂之蚀刻方法。 |
