| 主权项 |
1.一种具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构,包括:一基板;一对表面导电层,形成在该基板之表面;一对背面导电层,形成在该基板之底面;一第一电阻层,形成在该基板及表面导电层之表面上,该第一电阻层之两端系分别电连接于该表面导电层;一第二电阻层,形成在该基板及背面导电层之表面上,该第二电阻层之两端系分别电连接于该表面导电层。2.如申请专利范围第1项所述之具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构,其中该基板系为氧化铝基板。3.如申请专利范围第1项所述之具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构,该晶片电阻器之两端部更包括顺序地形成一导电层、一镍层、及一锡层。4.如申请专利范围第3项所述之具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构,其中该晶片电阻器之两端部之锡层系焊着于一电路基板上。5.如申请专利范围第1项所述之具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构,其中该第一电阻层更形成有至少一电阻调节修整槽。6.如申请专利范围第1项所述之具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构,其中该第二电阻层更形成有至少一电阻调节修整槽。图式简单说明:第一图系显示依据先前技术之晶片电阻器结构剖视图;第二图系显示本发明具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构之结构剖视图;第三图系显示本发明具有双层电阻层之高功率晶片电阻器结构之制作流程图。 |
