| 主权项 |
1.一种高压元件之场平板的制造方法,适用于一基 底中的一漂移区上,其中该漂移区上有一隔离结构 ,该方法包括: 于该基底上方,形成一第一介电层; 于该第一介电层上,形成一第一图案化导电层,其 中该第一图案化导电层位于该隔离结构上方并裸 露出部分该第一介电层之一表面;以及 移除裸露之部分该第一介电层,直到裸露出该隔离 结构之一表面以形成复数个垂直鳍状介电底层。 2.如申请专利范围第1项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该隔离结构与位于该隔离结构上 方之该第一介电层之一总厚度约为13000~30000埃。 3.如申请专利范围第2项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该隔离结构之一厚度约为8000~ 12000埃。 4.如申请专利范围第1项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该第一介电层之材质包括氧化矽 与氮化矽。 5.如申请专利范围第1项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该第一图案化导电层之材质包括 多晶矽。 6.如申请专利范围第1项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中形成该第一图案化导电层之方法 包括: 于该基底上方形成一导电材料层;以及 以该介电层为一蚀刻终止层,图案化该导电材料层 以形成该第一图案化导电层。 7.如申请专利范围第1项所述之高压元件之场平板 的制造方法,于移除裸露之部分该第一介电层之步 骤后,还包括: 于该基底上方,形成一第二图案化导电层,其中该 第二图案化导电层由该第一图案化导电层之顶部 向下延伸并覆盖每一该些垂直鳍状介电底层之侧 壁以及该些垂直鳍状介电底层之间所裸露的部份 该隔离结构,而该第二图案化导电层与该第一图案 化导电层互相绝缘隔离。 8.如申请专利范围第7项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该第二图案化导电层之材质包括 多晶矽。 9.如申请专利范围第7项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中于形成该第二图案化导电层之步 骤前,还包括于该第一图案化导电层之一上表面上 ,形成一第二介电层覆盖该第一图案化导电层,其 中该第二介电层位于该第一图案化导电层与该第 二图案化导电层之间。 10.如申请专利范围第9项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该第二图案化导电层裸露该第一 图案化导电层的该上表面上方的部份该第二介电 层。 11.如申请专利范围第9项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中形成该第二介电层之方法包括进 行一氧化制程以在该第一图案化导电层之该上表 面上形成一牺牲氧化层。 12.如申请专利范围第1项所述之高压元件之场平板 的制造方法,其中该隔离结构包括一场氧化层。 13.一种高压元件,位于一基底上,其中该基底中有 一漂移区与位于该漂移区上之一隔离结构,该高压 元件包括: 一场平板结构位于该隔离结构上,其中该场平板结 构由复数个垂直鳍状单元所组成,而每一该些垂直 鳍状单元包括: 一垂直鳍状介电底层,其中该些垂直鳍状单元之该 些垂直鳍状介电底层之间裸露出该隔离结构的一 表面; 一第一导电层,位于该垂直鳍状介电底层上;以及 一第二导电层,覆盖部分该第一导电层且覆盖该些 垂直鳍状介电底层之间所裸露之该隔离结构的该 表面。 14.如申请专利范围第13项所述之高压元件,其中该 第二导电层与该第一导电层互相绝缘隔离。 15.如申请专利范围第14项所述之高压元件,其中该 每一垂直鳍状介电底层与该隔离结构之一总厚度 约为13000~30000埃。 16.如申请专利范围第14项所述之高压元件,其中该 隔离结构之一厚度约为8000~12000埃。 17.如申请专利范围第13项所述之高压元件,其中每 一该些垂直鳍状介电底层之材质包括氧化矽与氮 化矽。 18.如申请专利范围第13项所述之高压元件,其中该 第一导电层之材质包括多晶矽。 19.如申请专利范围第13项所述之高压元件,其中该 第二导电层之材质包括多晶矽。 20.如申请专利范围第13项所述之高压元件,其中每 一该些垂直鳍状单元还包括一牺牲氧化层覆盖该 第一导电层,并介于该第一导电层与该第二导电层 之间。 21.如申请专利范围第13项所述之高压元件,其中每 一该些垂直鳍状单元的该第一导电层与该第二导 电层交错放置。 22.如申请专利范围第13项所述之高压元件,还包括: 一源极区位于该基底中; 一汲极区位于该基底中,其中该隔离结构位于该源 极区与该汲极区之间的该基底上; 一通道区,位于该源极区与该漂移区之间的该基底 中;以及 一闸极位于该基底上方且相邻该源极区,其中该闸 极是该第二导电层之一延伸部分,因此该闸极覆盖 部份该隔离结构。 图式简单说明: 图1A至图1D为本发明之一实施例的高压元件之场平 板的制造流程剖面图。 图2为本发明之另一实施例的高压元件之结构剖面 图。 |
