发明名称 等离子体处理装置和高频电力供给装置
摘要 本发明的等离子体处理装置包括:处理容器,其内部可减压;第1电极,配置在所述处理容器内;处理气体供给部件,用于将处理气体供给到所述处理容器内;高频电源部,输出具有VHF带频率的高频电力;匹配器,与所述高频电源部和所述第1电极电连接,获得阻抗的匹配;以及传输线路,从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板,通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体,可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。
申请公布号 CN1280873C 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200410030234.7 申请日期 2004.02.12
申请人 东京毅力科创株式会社;新电元工业株式会社 发明人 速水利泰;岩崎征英;高平淳一;渡部一良;小松真一;佐佐木雄一
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C16/513(2006.01);H05H1/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘宗杰;叶恺东
主权项 1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:处理容器,其内部可减压;第1电极,配置在所述处理容器内;处理气体供给部件,用于将处理气体供给到所述处理容器内;高频电源部,输出具有VHF带频率的高频电力;匹配器,与所述高频电源部和所述第1电极电连接,获得阻抗的匹配;以及传输线路,从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力,在所述处理容器内配置被处理基板,通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体,对该被处理基板实施等离子体处理,所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度还要短。
地址 日本东京都