发明名称 纳米高纯二氧化硅的生产方法
摘要 本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的生产方法,该方法采用化学直接合成法,改良了国内外传统的沉淀法,生产中采用预先在原料中加入稀释水和添加剂,控制工艺条件,阻止粒子团聚。其产品粒径在5~20nm之间,产品纯度可达到99.98%。本发明方法具有工艺流程短、设备数量少、易于操作和控制、产品质量稳定、建厂周期短、对环境无污染等优点。
申请公布号 CN1280191C 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200310123470.9 申请日期 2003.12.30
申请人 吕佳来 发明人 吕佳来
分类号 C01B33/187(2006.01);C01B33/193(2006.01) 主分类号 C01B33/187(2006.01)
代理机构 北京挺立专利事务所 代理人 叶树明
主权项 1、一种纳米高纯二氧化硅的生产方法,其特征在于该方法包括以下工艺步骤:a)向反应釜中加入水和SiO2含量为28~30%的水玻璃,搅拌均匀,加热到90~100℃,保持该温度15~25分钟,过滤,静置12小时后制成稀释水玻璃;b)将硫酸稀释到14~16%,冷却到15~25℃,搅拌,加入多聚甲醛、乙醇、三乙醇胺、EDTA,静置12小时后待用;c)启动反应釜,放入准备好的稀释水玻璃,控制温度在30~35℃,再加入准备好的硫酸,直到反应液的pH值为7±0.5,反应1~1.5小时,再搅拌10~30分钟,然后静置30分钟;d)将上述反应液在搅拌中升温到90~95℃,保持该温度30~40分钟,再用30~40分钟加入稀硫酸,保持反应体系的pH值为5.0~6.0,保持该温度30~40分钟,制成水合二氧化硅;e)将上述水合二氧化硅过滤,洗涤,直到洗出液中无Cl-、SO42-、Na+为止;f)将洗净后的沉淀在280~320℃干燥,控制其水分含量为5~8%,得到纳米高纯二氧化硅。
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