衬底处理和光刻胶曝光方法

摘要

本发明公开了一种用于改进现代步进机的曝光聚焦的方法，步进机用在比如晶片的半导体衬底的光刻中。从半导体锭上沿相对于锭上的参考点的特定方向(50)锯出晶片(52)。作为锯开的结果，在晶片的表面(54)上出现一系列凸出和凹进的形态(62)。在许多层被添加到晶片上，并且光刻胶层准备好被去除以后，晶片与步进机对准，使得步进机的动态聚焦区域与所述形态和/或锯开方向对准。这样的对准改善了临界尺寸控制，并且减少了在光刻期间翻印小的几何特征时的易变性，得到更高的产出。

主权项

1.一种对光刻胶层进行图案化的方法，包括：在半导体衬底上形成所选层，所述所选层具有反映在其上表面上的多个交替凸出和凹进的所选形态，所述所选形态是由于所述衬底的上表面上交替凸出和凹进的衬底形态而产生的；在所述所选层上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有反映在其上表面上的多个凸出和凹进的光刻胶形态，所述光刻胶形态是由于所述所选层上表面上的所选形态而产生的，连续的凸出光刻胶形态的峰以间距分开，所述间距沿间距方向延伸，并且每个凸出形态具有宽度，所述宽度沿横穿所述间距方向的波方向延伸，所述宽度是所述间距的倍数；在所述光刻胶层上放置掩模，所述掩模具有多个开口；和将电磁辐射源置于所述掩模上方，所述电磁辐射源发出一束电磁辐射，所述电磁辐射束具有长度和横穿所述长度的宽度，所述宽度是所述长度的倍数，所述电磁辐射源与所述衬底对准，使得所述电磁辐射束的长度沿与所述间距方向平行的长度方向延伸，所述电磁辐射穿过所述掩模中的开口传播到所述光刻胶层的所选区域上，从而将所述所选区域的材料改变为能在所述光刻胶层的其余部分上被选择性刻蚀的材料。