设有浮置扩散栅电容的四晶体管CMOS图像传感器

摘要

提供了一些像素单元，这些像素单元采用了与浮置扩散结点接合的栅电容，以有选择地增加浮置扩散结点的存储电容量。可以用相同的工艺步骤在形成所述像素单元的其他栅电路时，同时形成所述栅电容。在较弱的光照条件下，所述存储结点的固有容量便已足够满足需要。而在较强的光照条件则导致有选择地让所述栅电容起作用，从而利用栅电容提供的额外容量增加所述存储结点的电荷容量。本发明在没有电荷共用(输出信号滞后)的条件下产生高动态范围和强输出信号。形成此类像素单元的方法可应用于CMOS和CCD图像装置、CMOS和CCD图像装置中的图像像素阵列以及CMOS和CCD图像系统中。

主权项

1.一种操作成像器的方法，包括：用光传感器产生电荷；将电荷从所述光传感器转移到存储结点；有选择地增加所述结点的电荷存储容量；以及根据转移到所述结点的电荷产生电信号。