| 发明名称 | 固体摄像器件 | ||
| 摘要 | 本发明使用一种固体摄像器件，其具有n型半导体衬底(30)，该n型半导体衬底上形成有光电转换部(32)和检测信号电荷的信号检测部(33)。在光电转换部具有光电二极管(12)，在半导体衬底上形成在半导体衬底的厚度方向上与光电转换部及信号检测部重叠的p阱(31)。p阱形成为，该p阱的表层侧的界面(31a)位于比光电二极管的表层侧的界面(16a)更下层。最好是表层侧的界面位于比光电二极管的下层侧的界面(16b)更下层，使得p阱(31)的杂质分布不与光电二极管(12)的杂质分布重叠。这时，在光电二极管和p阱之间存在非掺杂区域(50)。 | ||
| 申请公布号 | CN1848444A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200610073533.8 | 申请日期 | 2006.04.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 胜野元成;松长诚之 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 1、一种固体摄像器件，具有n型半导体衬底，该n型半导体衬底上形成有将入射的光转换成信号电荷的光电转换部、以及检测上述信号电荷的信号检测部，其特征在于，上述光电转换部具有形成在上述半导体衬底上的光电二极管；上述半导体衬底具有在上述半导体衬底的厚度方向上与上述光电转换部和上述信号检测部重叠的p阱；上述p阱形成为，该p阱的表层侧的界面位于比上述光电二极管的表层侧的界面更下层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||