非挥发性存储器结构及其制造方法

摘要

在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个掩膜(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成于独立的基板区域内部或上方，在蚀刻沟槽绝缘层之前可以至少部分掺杂源极线，借此隔离基板区域与下方结构，以避免短路；这种存储器可以区块(sector)抹除；或是执行晶片抹除操作以并联抹除所有的胞元；周边电晶体栅极和选择闸可以由同一层形成，选择闸间壁有延伸物，可以自上方金属线作成低电阻接触；至于在机械或化学机械研磨上方绝缘层时，利用相邻的虚置结构可以保护半导体基板上方的电路元件。

主权项

1、一种制造包含非挥发性存储器的集成电路的方法，其特征在于，该方法至少包括：(a)于一半导体的第一区域上形成第一绝缘层(108)及第一层(124)，其中该集成电路包括多个非挥发性记忆胞元，每一该些记忆胞元包括有一由部分该第一层(124)所形成的浮动闸；(b)经由该第一层的开口在该半导体第一区域内形成多个沟槽(910)，并以绝缘材料(1010)填充该些沟槽(910)；(c)于该半导体第一区域之上形成一第二层(128)，其中每一该些胞元包含有一由部分该第二层(128)所形成的导电闸，该导电闸与该些胞元的该浮动闸(124)以一第二绝缘层(98)隔离；(d)图案化该第二层(128)，以形成伸向一预定方向的长条，每一该长条横跨多个该些沟槽(910)；(e)移除未被该第二层(128)覆盖的该半导体第一区域上的部分该第一层(124)，以形成多个第一结构，每一该些第一结构包含一由该第二层所形成的长条，并包含该长条下方的部分该第一层，每一该些第一结构有一第一侧壁；(f)于该第一层与该第二层之上形成一第三层(520)，并以包含非等向性蚀刻的制程移除部分该第三层(520)，使于每一该些第一结构的至少部分该第一侧壁上形成一间壁(520)，其中每一该间壁(520)与该相应第一结构中的该第一层(124)及该第二层(128)的材料以一隔离材料隔离；(g)使用微影形成一微影掩膜图案(1710)，该微影掩膜图案覆盖该第一结构第一侧壁上的该间壁；(h)以该微影掩膜图案(1710)为罩幕，以移除未被微影掩膜图案覆盖的该间壁(520)，因此，每一该些胞元包含有一由该第一结构的该第一侧壁上的间壁(520)所形成的导电闸；以及(i)利用该微影掩膜图案(1710)为罩幕于该半导体第一区域内掺入掺杂物。