| 发明名称 | 自脉冲型半导体激光器 | ||
| 摘要 | 在自脉冲型半导体激光器中，在第一导电型的半导体基底(1)上相继地堆叠第一导电型的第一覆盖层2，活性层(3)，和具有条状脊峰部分(4a)的第二导电型的第二覆盖层(4)。在形成在脊峰部分(4a)两侧表面和除第二覆盖层(4)的脊峰部分外的两个平坦部分(4b)上的隐埋层中，可饱和吸收层(7)形成在具有折射率等于或大于第二覆盖层的折射率，且不吸收激光的材料层(8)上。 | ||
| 申请公布号 | CN1280962C | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200310116121.4 | 申请日期 | 2003.11.14 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 菅康夫 |
| 分类号 | H01S5/30(2006.01);H01S5/22(2006.01) | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种自脉冲型半导体激光器，其特征在于，包括在第一导电型的半导体基底上相继地堆叠第一导电型的第一覆盖层，活性层，和具有条状脊身部分的第二导电型的第二覆盖层，其中饱和吸收层形成在具有折射率等于或大于所述第二覆盖层的折射率，且不吸收激光的材料层上，且在形成在所述脊峰部分的两个侧面和在所述第二覆盖层中的所述脊身部分之外的两个平坦部分上的隐埋层之内。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||