侦测CMOS元件之过度漏电流DETECTING EXCESS CURRENT LEAKAGE OF A CMOS DEVICE

摘要

兹揭示以侦测于一互补式MOS(CMOS)环境内之金属氧化物半导体(MOS)电晶体(36、46)的汲极／源极间的过度电流溢漏之系统(10、90)、设备(12、30、40、50、60)及方法(100)。一负载控制(32、42)经排置为对该MOS电晶体之互补。一比较器(34、44)经电子连接于该负载控制及该MOS电晶体，并且可产生一代表侦测到一超过一门槛值之电流溢漏的输出信号。回应于表示一过度电流溢漏之所收输出信号，可调整该系统电压／频率以防止对该CMOS环境造成损害。