| 摘要 |
本发明系提供半导体发光元件及其制造方法。半导体元件系包含有下述(i)至(ii)：(i)具有选择自锥状与锥台状之凸部的半导体层；(ii)电极；以及当凸部为锥台状时，凸部的高度为0.05μm至5.0μm，下底面直径为0.05μm至2.0μm；当凸部为锥状时，凸部的高度为0.05μm至5.0μm，底面直径为0.05μmn至2.0μm。再者，半导体发光元件之制造方法系包含有步骤(a)至(c)：(a)在基板上使半导体层成长的步骤；(b)在半导体层上形成含有平均粒径0.01μm至10μm的粒子，且面密度为2×10^6cm^–2至2×10cm^–2之区域的步骤；(c)对半导体层施行乾式蚀刻，而形成选择自锥状与锥台状之凸部的步骤。 |
