发明名称 藉由计算于曝光场内依据位置变化的参数而调整设计配置以制造积体电路之方法
摘要 使用光学邻近修正(optical proximity correction;OPC)修改一积体电路之原始配置以获得一第二配置。在OPC期间,为每一特征便利地识别(2)对闪光之敏感度。为绘制(4)闪光,在一曝光场上绘制强度之幅度,其通常为对应于一步进机之曝光的矩形区域。将该曝光场分成多个区域,其中一区域特征在于各处具有大体上相同幅度。对每一特征做出是否进行进一步修正之决策。若需要修正,则修正量部分系依据该特征位于的区域及该特征之敏感度。此相同方法适用于除在曝光场内依据位置变化之闪光的其它特性。
申请公布号 TW200636395 申请公布日期 2006.10.16
申请号 TW095104099 申请日期 2006.02.07
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 凯文D 鲁卡斯;罗伯E 波恩;凯尔W 派特森
分类号 G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国