非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性半导体记忆装置及其制造方法，可达成OTP记忆体单元的小型化，且大幅减少制造步骤／成本。在OTP记忆体之单元电晶体的汲极区域D内，形成作为电容器之下部电极的埋设层8(BN＋)，且在该埋设层8上形成可藉由资料线DL所施加的预定电压而破坏绝缘之膜厚较薄的电容器绝缘膜7a、7b，且在该电容器绝缘膜7a、7b上、在场氧化膜2上形成作为电容器之上部电极的导电层10。又，使埋设层8(BN＋)与高浓度的汲极区域13(N＋)局部重叠。