发明名称 | 一种奈米碳管阵列生长方法 | ||
摘要 | 一种奈米碳管阵列生长方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底之一表面形成有一催化剂层;将上述基底设置于一反应炉内;往反应炉内通入载气气体,并加热使得反应炉达到一预定温度;往反应炉内通入碳源气与氢气,该氢气通过一通气装置直接通入到基底附近;反应预定时间,在基底上生长得到奈米碳管阵列。 | ||
申请公布号 | TW200635850 | 申请公布日期 | 2006.10.16 |
申请号 | TW094110547 | 申请日期 | 2005.04.01 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 姜开利;范守善 |
分类号 | C01B31/02;C23C16/26 | 主分类号 | C01B31/02 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |