发明名称 一种奈米碳管阵列生长方法
摘要 一种奈米碳管阵列生长方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底之一表面形成有一催化剂层;将上述基底设置于一反应炉内;往反应炉内通入载气气体,并加热使得反应炉达到一预定温度;往反应炉内通入碳源气与氢气,该氢气通过一通气装置直接通入到基底附近;反应预定时间,在基底上生长得到奈米碳管阵列。
申请公布号 TW200635850 申请公布日期 2006.10.16
申请号 TW094110547 申请日期 2005.04.01
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 姜开利;范守善
分类号 C01B31/02;C23C16/26 主分类号 C01B31/02
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号