Verfahren zur Herstellung von Charge-trapping-Speicherbauelementen

摘要

Eine für Charge-trapping vorgesehene Speicherschicht aus Nitrid wird in einer Speicherschichtfolge (3) auf einer Hauptseite eines Substrates (1) angeordnet. Die Oberflächen von Wortleitungsstacks und Zwischenbereichen werden mit einem Oxinitridliner (10) bedeckt. Es werden Seitenwandspacer (13) aus BPSG ausgebildet; oder ein Nitridliner (11) wird zuvor noch abgeschieden, und die Seitenwandspacer (13) werden aus Oxid ausgebildet. Die Spacer werden in einem peripheren Bereich einer Adressierschaltung verwendet, um Source-/Draingebiete (2) zu implantieren. Das Oxinitrid vermindert den Stress zwischen dem Nitrid und dem Halbleitermaterial und verhindert, dass Ladungsträger aus der Speicherschicht in den Liner gelangen.