铜/钼/铜电子封装复合材料的制备方法

摘要

本发明属于电子封装材料领域，主要应用于微电子和半导体行业的金属封装行业，特别是涉及一种采用轧制工艺制备铜/钼/铜电子封装复合材料的方法。该方法包括表面处理、包覆、热轧、退火、冷轧、后续处理六个步骤。本发明与现有技术相比具有制备工艺简单、易控制、适于规模化生产的优点，其成品具有高导热、尺寸适应性和一致性好、成品率高、冲压性能良好，同时具有与半导体材料相匹配的热膨胀系数和导热率的优点。

主权项

1、一种铜/钼/铜电子封装复合材料的制备方法，其特征在于该方法包括表面处理、包覆、热轧、退火、冷轧、后续处理六个步骤：A、表面处理：取厚度为0.2-0.8mm的无氧铜板在10-1Pa-10-3Pa真空或气体保护状态下，将铜板经500-900℃退火处理1-2小时，同时选用厚度为0.6-0.8mm的钼板经过表面处理，清除钼板表面的污物，获得一定的清洁度和粗糙度；B、包覆：将钼板放在两层铜板中间，用铜板包覆钼板四边，压实以排除层间的空气；C、热轧：将上述包覆板材于600-1000℃经过2-5道次热轧，获得接近成品要求的尺寸规格，其厚度为0.5-1.2mm；D、退火：在10-1Pa-10-3Pa真空或气体保护状态下，将经过热轧的铜/钼/铜复合板在500-900℃温度下退火处理1-2小时；E、冷轧：把经过退火的复合板在四辊轧机上经过2-10道次冷轧，以获得最终成品要求的尺寸规格，其厚度为0.1-1mm；F、后续处理：主要包括剪边、退火、矫直、检验，以获得满足要求的最终成品，成品板材铜/钼/铜的厚度配比为1∶1∶1～1∶4∶1。