| 发明名称 | 半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法，是于硅晶片上形成一层厚度比后续工艺所需的垫氧化层的厚度略大一些的零层氧化层，随后进行光刻与蚀刻工艺，图案化零层氧化层与硅晶片，以于硅晶片中形成数个对准用标记。然后进行一清洗工艺将光刻胶与部分零层氧化层去除，一来可避免光刻胶的残留，另外也可控制零层氧化层的厚度直到零层氧化层的厚度与后续工艺所需的垫氧化层的厚度一致。 | ||
| 申请公布号 | CN1279607C | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN02108451.3 | 申请日期 | 2002.04.01 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄良田;陈心怡;张忠吉 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法，其中作为一垫氧化层的氧化层的厚度为一第一厚度，其特征为：其步骤包括：于一硅晶片上形成具有一第二厚度的一零层氧化层，该第二厚度大于该第一厚度；进行光刻与蚀刻工艺，以于该硅晶片中形成多个对准标记；进行一清洗工艺，以去除部分该零层氧化层，并使其中剩余的该零层氧化层的厚度为该第一厚度，而形成该垫氧化层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||