衰减相移掩模坯体和光掩模

摘要

本发明涉及用在曝光波长为300nm或更低的平版印刷中的嵌入式衰减相移掩模坯体，以及通过离子束沉积制备这种掩模坯体的方法。具体而言，掩模坯体包含基片和薄膜系统，其中薄膜系统包含透射控制子层和相移控制子层，透射控制子层包含选自Mg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氧化物、氮化物、硼化物和碳化物的金属和/或金属化合物以及这些金属和其化合物的组合；相移控制子层包含Ge、Si和/或Al的硼化物、碳化物、氧化物和/或氮化物或其组合。

主权项

1.一种制备嵌入式衰减相移掩模坯体的双离子束沉积法，所述掩模坯体包含基片和薄膜系统，所述掩模坯体能够生产在300nm或更低波长的照射光下具有基本180°相移和至少0.001％的光透射率的光掩模；该方法包括在基片上沉积：-透射控制子层，包含一种或多种选自Mg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氧化物、氮化物、硼化物和碳化物的金属或金属化合物以及这些金属和其化合物的组合；-相移控制子层，包含Ge、Si和/或Al的硼化物、碳化物、氧化物和/或氮化物，或其组合；其中薄膜系统的至少一层通过以下步骤沉积：(c)从含有一种或多种Si、Al、Mg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb的混合物、合金或化合物的靶通过来自一组气体的离子用一次离子束进行离子束沉积，以及(d)用来自包含一组气体的辅助源的二次离子束轰击基片。