| 发明名称 | 促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子技术领域。本发明促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘包括静电卡盘和配合在静电卡盘外圆周的聚焦环，聚焦环上设有与其一体的凸环。其中静电卡盘的上表面的直径大于待刻蚀的晶片的直径；凸环的下表面与静电卡盘的上表面相配合。本发明的优点和积极效果在于：所以待刻蚀的晶片的整体与于静电卡盘接触充分、均匀。静电卡盘可以通过自身的热量及氦气背吹的方式对晶片边缘进行有效的温度控制，提高了晶片边缘的温度的可控性。从而静电卡盘对待刻蚀的晶片的温度等各项功能的控制也非常均匀。同时静电卡盘和待刻蚀的晶片之间的阻抗更加稳定，晶片上通过射频RF形成的直流偏置(DC bias)更加均匀，产生更均匀的等离子体。 | ||
| 申请公布号 | CN1845307A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200510130651.3 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 孙亚林 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/00(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/683(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 司君智 |
| 主权项 | 1.促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘，包括静电卡盘(1)和配合在静电卡盘(1)外圆周的聚焦环(4)，聚焦环(4)上设有与其一体的凸环(7)，其特征在于静电卡盘(1)的上表面的直径大于待刻蚀的晶片(3)的直径；所述凸环(7)的下表面与静电卡盘(1)的上表面相配合。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||