| 发明名称 | 纯化含有氢化合物的四氯化硅或四氯化锗的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，和，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明还涉及一种进行本发明方法的装置，其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备(4.1或5.1)，其通过连接管线与反应器(4.3或5.3)的入口连接，反应器具有控制设备(4.4或5.4)，用于产生介电受阻放电，反应器的出口通过导管，直接或间接通过至少一个另外的反应器(5.5)与冷凝设备(4.5或5.11)连接，冷凝设备的下游是收集容器(4.6或5.12)，其通过排出管线(4.6.2或5.12.1)与蒸馏设备(4.8或5.13)连接，如果适合，配有加料管线(4.6.1)至设备(4.1)。 | ||
| 申请公布号 | CN1842491A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200580000929.3 | 申请日期 | 2005.06.10 |
| 申请人 | 德古萨公司 | 发明人 | H·－P·波普;R·尼科莱;H·劳勒德;J·朗 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01);C01G17/04(2006.01);B01J19/08(2006.01) | 主分类号 | C01B33/107(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种处理被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。 | ||
| 地址 | 德国杜塞尔多夫 | ||