| 发明名称 | 一种纳米材料及在场效应晶体管纳米器件的应用 | ||
| 摘要 | 一种纳米材料，其直径为1～200纳米、长度为0.01～50微米的单壁或多壁碳纳米管或其它纳米线，在该碳纳米管上带有用氧化铝、氧化硅、或氧化铪等氧化物包覆的绝缘层。其制备方法采用超临界流体作为不良溶剂将极性硝酸盐从良溶剂中相分离包覆在碳纳米材料表面，形成金属氧化物绝缘包覆层，在带有绝缘层的碳纳米材料两端裸露区域原位沉积Pt电极作为源、漏电极，在包覆有金属氧化物绝缘层的区域沉积Pt电极作为栅电极。在室温下这种材料具有明显的场效应现象，调控器件所需的栅极电压较通常结构的场效应晶体管低，且在一块电路版上的每个器件能分别通过专有的栅电极操控。 | ||
| 申请公布号 | CN1841679A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200510059662.7 | 申请日期 | 2005.03.29 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 刘云圻;付磊;刘志敏;曹灵超;魏大程;韩布兴;朱道本 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);B82B1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01);C01B31/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1.一种纳米材料，其直径为1～200纳米、长度为0.01～50微米的单壁或多壁碳纳米管或其它纳米线，在该碳纳米管上带有用氧化铝、氧化硅、或氧化铪等氧化物包覆的绝缘层。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北一街2号 | ||