| 发明名称 | 层叠电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种层叠电子器件及其制造方法，能够很简便地防止台阶吸收层突出于内部电极的上表面、或者在台阶吸收层和内部电极之间产生间隙。本发明的层叠电子器件，其内部电极层在介质基体(1)的内部隔开间隔而层叠。在内部电极层的侧部上分别设置台阶吸收层。内部电极层的侧部形成倾斜面，台阶吸收层以与内部电极层的倾斜面局部重叠的方式层叠。其他内部电极层和台阶吸收层也是一样。 | ||
| 申请公布号 | CN1841594A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200610068295.1 | 申请日期 | 2006.03.27 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 小岛达也;上田要;外海透;政冈雷太郎;岩崎彰则;山口晃;室泽尚吾 |
| 分类号 | H01G4/30(2006.01) | 主分类号 | H01G4/30(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1、一种层叠电子器件，具有：介质基体；多个内部电极层，在介质基体的内部隔开间隔而层叠；以及台阶吸收层，设置在内部电极层的侧部，其特征在于，至少一个内部电极层的侧部形成了倾斜面，至少一个台阶吸收层以与上述倾斜面局部重叠的方式层叠。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||