发明名称 | 半导体存储器件和用于运行半导体存储器件的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种半导体存储器件(1),以及涉及一种用于运行半导体存储器件(1)的方法,所述半导体存储器件具有多个存储单元阵列(3a、3b、3c、3d),所述存储单元阵列分别具有多个存储单元子阵列(8a、8b、8c、8d),其中所述方法包括以下步骤:如果应存取一个或者多个包含在第一存储单元子阵列(8a)或者第一批存储单元中的存储单元,那么激活(ACT)第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元,尤其激活位于第一存储单元子阵列(8a)的同一行或列中的存储单元;存取(RD)一个或者多个相应的存储单元;其特征在于,所述方法另外包括以下步骤:如果应该对一个或者多个其他存储单元进行存取,而所述其他存储单元被包含在与第一存储单元子阵列(8a)属于相同存储单元阵列(3a、3b、3c、3d)的第二存储单元子阵列(8c)中,则使第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元保持在激活状态。 | ||
申请公布号 | CN1842875A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
申请号 | CN200480024821.3 | 申请日期 | 2004.07.09 |
申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | M·布罗克斯 |
分类号 | G11C11/409(2006.01) | 主分类号 | G11C11/409(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
主权项 | 1.用于运行半导体存储器件(1)的方法,所述半导体存储器件具有多个存储单元阵列(3a、3b、3c、3d),所述存储单元阵列分别具有多个存储单元子阵列(8a、8b、8c、8d),其中所述方法具有以下步骤:-如果应存取一个或者多个包含在第一存储单元子阵列(8a)或者第一批存储单元中的存储单元,那么激活(ACT)第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元,尤其激活位于第一存储单元子阵列(8a)的同一行或列中的存储单元;-存取(RD)一个或者多个相应的存储单元;其特征在于,所述方法另外包括以下步骤:-如果应该对一个或者多个其他存储单元进行存取,而所述其他存储单元被包含在与第一存储单元子阵列(8a)属于相同存储单元阵列(3a、3b、3c、3d)的第二存储单元子阵列(8c)中,则使第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元保持在激活状态。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |