发明名称 半导体存储器件和用于运行半导体存储器件的方法
摘要 本发明涉及一种半导体存储器件(1),以及涉及一种用于运行半导体存储器件(1)的方法,所述半导体存储器件具有多个存储单元阵列(3a、3b、3c、3d),所述存储单元阵列分别具有多个存储单元子阵列(8a、8b、8c、8d),其中所述方法包括以下步骤:如果应存取一个或者多个包含在第一存储单元子阵列(8a)或者第一批存储单元中的存储单元,那么激活(ACT)第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元,尤其激活位于第一存储单元子阵列(8a)的同一行或列中的存储单元;存取(RD)一个或者多个相应的存储单元;其特征在于,所述方法另外包括以下步骤:如果应该对一个或者多个其他存储单元进行存取,而所述其他存储单元被包含在与第一存储单元子阵列(8a)属于相同存储单元阵列(3a、3b、3c、3d)的第二存储单元子阵列(8c)中,则使第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元保持在激活状态。
申请公布号 CN1842875A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200480024821.3 申请日期 2004.07.09
申请人 英飞凌科技股份公司 发明人 M·布罗克斯
分类号 G11C11/409(2006.01) 主分类号 G11C11/409(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 程天正;张志醒
主权项 1.用于运行半导体存储器件(1)的方法,所述半导体存储器件具有多个存储单元阵列(3a、3b、3c、3d),所述存储单元阵列分别具有多个存储单元子阵列(8a、8b、8c、8d),其中所述方法具有以下步骤:-如果应存取一个或者多个包含在第一存储单元子阵列(8a)或者第一批存储单元中的存储单元,那么激活(ACT)第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元,尤其激活位于第一存储单元子阵列(8a)的同一行或列中的存储单元;-存取(RD)一个或者多个相应的存储单元;其特征在于,所述方法另外包括以下步骤:-如果应该对一个或者多个其他存储单元进行存取,而所述其他存储单元被包含在与第一存储单元子阵列(8a)属于相同存储单元阵列(3a、3b、3c、3d)的第二存储单元子阵列(8c)中,则使第一存储单元子阵列(8a)或者第一存储单元子阵列(8a)的包含在第一批存储单元中的存储单元保持在激活状态。
地址 德国慕尼黑