| 发明名称 | 在CMOS集成电路中的最低电位为共模电平的模拟信号输入管脚的静电保护方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种最低电位为共模电平的模拟信号输入管脚的静电保护方法，其特征在于：该方法包括由一个PMOS(MP)，两个电阻R1和R2，一个电容C，一个电源到地的泄放电路共同组成保护电路，电阻R2设置于输入管脚与内部电路之间，所述电容C的一端分别连接输入管脚及电阻R2，所述电容C的另一端分别连接电阻R1及PMOS(MP)。所述的CMOS集成电路中阱(Well)和衬底(Substrate)形成的电源和地之间设置有寄生二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN1278416C | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN02131733.X | 申请日期 | 2002.09.23 |
| 申请人 | 珠海炬力集成电路设计有限公司 | 发明人 | 丁然 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/60(2006.01) |
| 代理机构 | 珠海智专专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张中 |
| 主权项 | 1、在CMOS集成电路中的最低电位为共模电平的模拟信号输入管脚的静电保护方法，其特征在于：该方法包括由一个PMOS，两个电阻R1和R2，一个电容C，一个电源到地的泄放电路共同组成保护电路，电阻R2设置于输入管脚与内部电路之间，所述电容C的一端分别连接输入管脚及电阻R2，所述电容C的另一端分别连接电阻R1及PMOS的栅极，电阻R1的另一端接电源VDD。 | ||
| 地址 | 519085广东省珠海市金鼎港湾大道南珠海新经济资源开发港研发楼A段 | ||