发明名称 | 纵向平板式电容结构 | ||
摘要 | 一种电容结构,包含一第一电极结构、一第二电极结构与一电容介电层。第一电极结构包含复数个垂直设置且相互平行之第一导电平板,该第二电极结构包含复数个与该第第一导电平板交错设置之第二导电平板。各该第一导电平板系由复数个第一导电长条堆叠而成,且各该第一导电长条系利用至少一第一连接插塞与堆叠于其上之该第一导电长条电耦接。该第二导电平板系由复数个第二导电长条堆叠而成,且各该第二导电长条系利用至少一第二连接插塞与堆叠于其上之该第二导电长条电耦接。 | ||
申请公布号 | TW200635051 | 申请公布日期 | 2006.10.01 |
申请号 | TW094109778 | 申请日期 | 2005.03.29 |
申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 叶达勋;简育生 |
分类号 | H01L29/92 | 主分类号 | H01L29/92 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区创新二路2号 |