| 摘要 |
本发明可获得一种发光装置，其系由于构造简单而容易制造，可长时间安定获得大的发光效率。本发明之发光装置具备：GaN基板1，其系作为氮化物半导体基板；n型AlxGa1–xN层3，其系位于氮化物半导体基板之第一主表面侧；p型AlxGa1–xN层5，其系从氮化物半导体基板看来，比n型AlxGa1–xN层3位于远处；及量子井4，其系位于n型AlxGa1–xN层3与p型AlxGa1–xN层5之间。于此发光装置，氮化物半导体基板之比电阻为0.5Ω．cm以下，将p型AlxGa1–xN层5侧朝下安装，从与氮化物半导体基板之第一主表面相反侧之主表面之第二主表面1a放出光。于氮化物半导体基板之第二主表面1a形成沟80。 |
