| 摘要 |
目前想提升元件或电路的效能，在晶片后制程方面，有几种方法，其中一种是利用粒子束轰击的方法，打在我们的电路晶片上，将电路下方的介电物质及基板打坏，使其阻值变大，成为半绝缘体特性，因而提高元件或电路效能，传统专利的粒子束轰击方法是将粒子束从晶片正上方打入，而此新型专利是将粒子束轰击方法改为将粒子束从晶片下方（亦即背面）打入，此方式多了四项有利的用途，来增加设计电路上的问题，第一、可应用在含主动元件之电路，而不去损害到主动元件。第二、主动元件上不需要使用罩幕来阻挡粒子束。第三、在传统从电路晶片上方打入粒子束，因电路晶片上方有各种不同的金属层及介电物质层，使在打入粒子束时能量阻挡不同，所以比较无法掌控打入的深度，而在新型从电路晶片下方打入粒子束，因皆为基板，使在打入粒子束时各部位的打入深度相同，所以比较容易掌控打入的深度。第四、金属连接线不会被粒子束轰击到，所以不会有因部份的金属线被粒子束破坏所造成的阻值增加之问题。 |
