一种矽化金属制程

摘要

本发明提供一种制作电晶体的方法，该电晶体具有矽化金属的汲极与源极表面。首先，于一基底表面上形成闸极绝缘层以及闸极；于该闸极的侧壁上形成衬垫层；于该基底内植入汲极／源极延伸区域；接着，在该衬垫层上形成一第一侧壁子；于该基底内植入汲极／源极区域；在该第一侧壁子的底部位置形成一第二侧壁子；进行一倾斜角度之非晶矽离子布植(PAI)制程，以于该第二侧壁子旁形成非晶矽层；于该非晶矽层上形成一金属层；然后，使该金属层与该非晶矽层反应，以形成一矽化金属层。