| 主权项 |
1.一种阴极板,包括:一基板;多个阴极结构,配置于该基板上,该些阴极结构为条状结构而彼此平行排列,各该阴极结构具有至少一凹槽;多个闸极结构,配置于该基板上,该些闸极结构为条状结构,并与该些阴极结构彼此平行交错排列;以及一发射层,配置于该些凹槽内。2.如申请专利范围第1项所述之阴极板,其中该些凹槽暴露该基板,而该发射层接触该基板。3.如申请专利范围第1项所述之阴极板,其中该些凹槽是呈条状,并与该些阴极结构平行排列。4.如申请专利范围第1项所述之阴极板,其中各该阴极结构具有多个该些凹槽,该些凹槽是呈点状。5.如申请专利范围第4项所述之阴极板,其中该些凹槽是沿该些阴极结构之延伸方向排列成排。6.如申请专利范围第4项所述之阴极板,其中该些凹槽之俯视形状为圆形、半圆形、半椭圆形或椭圆形。7.如申请专利范围第4项所述之阴极板,其中该些凹槽之俯视形状为多边形。8.如申请专利范围第7项所述之阴极板,其中该些凹槽之俯视形状为矩形、三角形或四边形。9.一种场发射式平面灯源,包括:一阴极板,包括:一第一基板;多个阴极结构,配置于该第一基板上,该些阴极结构为条状结构而彼此平行排列,各该阴极结构具有至少一凹槽;多个闸极结构,配置于该第一基板上,该些闸极结构为条状结构,并与该些阴极结构彼此平行交错排列;一发射层,配置于该些凹槽内;一阳极板,配置于该阴极板上方;以及一密封件,配置于该阳极板与该阴极板之间,并密封该阳极板与该阴极板。10.如申请专利范围第9项所述之场发射式平面灯源,其中该些凹槽暴露该第一基板,而该发射层接触该第一基板。11.如申请专利范围第9项所述之场发射式平面灯源,其中该些凹槽是呈条状,并与该些阴极结构平行排列。12.如申请专利范围第9项所述之场发射式平面灯源,其中各该阴极结构具有多个该些凹槽,该些凹槽是呈点状。13.如申请专利范围第12项所述之场发射式平面灯源,其中该些凹槽是沿该些阴极结构之延伸方向排列成排。14.如申请专利范围第12项所述之场发射式平面灯源,其中该些凹槽之俯视形状为圆形、半圆形、半椭圆形或椭圆形。15.如申请专利范围第12项所述之场发射式平面灯源,其中该些凹槽之俯视形状为多边形。16.如申请专利范围第15项所述之场发射式平面灯源,其中该些凹槽之俯视形状为矩形、三角形或四边形。17.如申请专利范围第9项所述之场发射式平面灯源,其中该阳极板包括:一第二基板;一阳极层,配置于该第二基板面对该阴极板之表面上;以及一萤光层,配置于该阳极层上。18.一种阴极板的制造方法,包括:提供一基板;在该基板上形成多个阴极结构与多个闸极结构,其中该些阴极结构与该些闸极结构为条状结构,且该些阴极结构与该些闸极结构彼此平行交错排列,各该阴极结构具有至少一凹槽;以及在该些凹槽内形成一发射层。19.如申请专利范围第18项所述之阴极板的制造方法,其中形成该些阴极结构与该些闸极结构的方法包括网版印刷。20.如申请专利范围第18项所述之阴极板的制造方法,其中形成该些阴极结构与该些闸极结构的方法包括进行薄膜沈积制程与微影蚀刻制程。21.如申请专利范围第18项所述之阴极板的制造方法,其中形成该发射层的方法包括:填充一发射层材料于该些阴极结构上;以及移除该些凹槽外的该发射层材料以形成该发射层。22.如申请专利范围第21项所述之阴极板的制造方法,其中填充该发射层材料的方法包括网版印刷。23.如申请专利范围第21项所述之阴极板的制造方法,其中在移除该些凹槽外之该发射层材料的同时,更包括活化该发射层材料。24.如申请专利范围第18项所述之阴极板的制造方法,其中形成该发射层的方法包括:配置一触媒于该些凹槽内;以及藉由该触媒在该些凹槽内形成该发射层。25.一种场发射式平面灯源的制造方法,包括:提供一阴极板,该阴极板的制造方法包括:提供一基板;在该基板上形成多个阴极结构与多个闸极结构,其中该些阴极结构与该些闸极结构为条状结构,且该些阴极结构与该些闸极结构彼此平行交错排列,各该阴极结构具有至少一凹槽;在该些凹槽内形成一发射层;提供一阳极板;以及使用一密封件密封该阳极板与该阴极板,其中该些阴极结构、该些闸极结构与该发射层位于该阳极板与该阴极板之间。26.如申请专利范围第25项所述之场发射式平面灯源的制造方法,其中形成该些阴极结构与该些闸极结构的方法包括网版印刷。27.如申请专利范围第25项所述之场发射式平面灯源的制造方法,其中形成该些阴极结构与该些闸极结构的方法包括进行薄膜沈积制程与微影蚀刻制程。28.如申请专利范围第25项所述之场发射式平面灯源的制造方法,其中形成该发射层的方法包括:填充一发射层材料于该些阴极结构上;以及移除该些凹槽外的该发射层材料以形成该发射层。29.如申请专利范围第28项所述之场发射式平面灯源的制造方法,其中填充该发射层材料的方法包括网版印刷。30.如申请专利范围第28项所述之场发射式平面灯源的制造方法,其中在移除该些凹槽外之该发射层材料的同时,更包括活化该发射层材料。31.如申请专利范围第25项所述之场发射式平面灯源的制造方法,其中形成该发射层的方法包括:配置一触媒于该些凹槽内;以及藉由该触媒在该些凹槽内形成该发射层。图式简单说明:图1为一种习知场发射式平面灯源的剖面示意图。图2为对应图1中区域S10的实际照片。图3为本发明一实施例之场发射式平面灯源的剖面示意图。图4为图3中阴极板局部的上视实际照片。图5A与图5B为本发明另外两种实施例中阴极板之阴极结构、闸极结构与发射层的配置方式。图6A~图6D为本发明一实施例之阴极板的制造流程剖面图。 |
