发明名称 场发射显示器之电极结构制作方法
摘要 一种场发射显示器之电极结构制作方法,以网印型或厚膜微影型之低成本银质油墨成形于基板上形成电极层,其中该油墨含粉体粒径可为0.1μm至10μm者,在透过烧结技术进行油墨之烧结,在烧结后这些粉体结晶之晶粒大小可为1μm 至10μm者,再利用表面研磨处理技术可将这类低成本银质油墨制作之电极层表面研磨后,让电极层表面平坦度提高,厚度误差可控制在0.1μm以下。
申请公布号 TWI263455 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW093118487 申请日期 2004.06.25
申请人 东元奈米应材股份有限公司 发明人 方金寿;许瑞庭
分类号 H05B33/06 主分类号 H05B33/06
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 1.一种场发射显示器之电极结构制作方法,该电极结构制作方法包括有:a)、先取一基板;b)、利用网印制程将油墨图案化制作,于基板表面上形成电极层;c)、待上述油墨经图案化为电极层后,进行烧结;d)、待上述烧结后,利用一表面研磨技术,对电极层表面进行研磨,即形成场发射显示器之电极结构。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该基板系由玻璃材质所制成。3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该油墨内含之粉体粒径分布以0.1m至10m为佳。4.如申请专利范围第1或3项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该油墨可为银材质。5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该烧结过程中会依据所烧结材料条件设定烧结温度。6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该烧结后电极层材料晶粒大小分布为1至10m。7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该电极层在研磨后表面平坦度误差在0.1m以下。8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,在研磨后,可以简单水清洗、烘乾及高压空气吹等工序。9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该研磨技术是利用研磨机之研磨元件,进行研磨。10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该研磨元件为羊毛毡。11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,在研磨过程中,利用喷洒工具喷洒研磨介质于电极层表面上。12.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该研磨介质采用高硬度之氧化金属粉体悬浮溶液。13.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该研磨介质可为氧化铝,氧化锆,氧化锰、氧化硒等之任一种氧化金属粉体。14.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之电极结构制作方法,其中,该研磨介质之粉体粒径1m以下,进行研磨。15.一种场发射显示器之电极结构制作方法,该电极结构制作方法包括有:a)、先取一基板;b)、利用微影制程将油墨图案化制作,于基板表面上形成电极层;c)、待上述油墨经图案化为电极层后,进行烧结;d)、待上述烧结后,利用一表面研磨技术,对电极层表面进行研磨,即形成场发射显示器之电极结构。图式简单说明:第一图,系本发明之场发射显示器之电极结构制作流程示意图。第二图,系本发明之电极结构示意图。第三图,系本发明之电极结构研磨过程示意图。第四图,系本发明之电极结构研磨完成示意图。
地址 桃园县观音乡中山路1段1560号